Docente
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TABORRI JURI
(programma)
Il programma dettagliato è il seguente: - Fondamenti di misure: metrologia, statistica e incertezza - Misure di corrente, tensione e resistenza - Materiali, configurazione elettronica, proprietà elettriche;Materiali dei tipi P e N: effetti delle impurità sulla conduzione, caratteri di maggioranza e di minoranza;Giunzione PN in un semiconduttore, sviluppo di un potenziale attraverso una giunzione PN in condizioni non polarizzate, polarizzate in senso diretto e polarizzate in senso inverso;Parametri dei diodi: tensione inversa di picco, massima corrente diretta, temperatura, frequenza, corrente di dispersione, dissipazione di potenza;Uso e funzionamento dei diodi nei seguenti circuiti: limitatore, livellatore, raddrizzatori a onda completa e a mezza onda, raddrizzatori a ponte, duplicatori e triplicatori di voltaggio;Dettagli del funzionamento e caratteristiche dei seguenti dispositivi: raddrizzatore controllato al silicio (tiristore), diodo ad emissione luminosa, diodo Schottky, diodo fotoconduttore, diodo a capacità variabile, varistore, diodi raddrizzatori, diodo Zener. - Struttura e funzionamento dei transistor PNP e NPN;Configurazioni di base, del collettore e dell’emettitore;Prova dei transistor;Valutazione base di altri tipi di transistor e i loro impieghi. Applicazione dei transistor: classi di amplificatori (A, B, C);Circuiti semplici: polarizzazione, disaccoppiamento, reazione e stabilizzazione;Principi dei circuiti multistadio: circuiti a cascata, push-pull, oscillatori, multivibratori, flip-flop;
(testi)
Per il superamento dell'esame è sufficiente il materiale didattico redatto dal docente e caricato sulla piattaforma moodle.
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